Übersicht			Auf mobile öffnen

Lieferstatus:	i.d.R. innert 5-10 Tagen versandfertig
Veröffentlichung:	Mai 2015
Genre:	Naturwissensch., Medizin, Technik
ISBN:	9783954049851
EAN-Code:	9783954049851
Verlag:	Cuvillier
Einband:	Kartoniert
Sprache:	Deutsch
Dimensionen:	H 210 mm / B 148 mm / D 9 mm
Gewicht:	236 gr
Seiten:	176
Zus. Info:	Paperback
Bewertung:	Titel bewerten / Meinung schreiben

Inhalt:

Diese Arbeit zeigt, wie die epitaktische Abscheidung von AlGaN-Schichten im gesamten Kompositionsbereich mittels Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE) realisiert wird. Die Optimierung eines für die Abscheidung verwendeten Quarzglasreaktors und das AlGaN-Wachstum durch ein quasi-thermodynamisches Modell werden detailliert beschrieben. Eine entscheidende Verbesserung der AlGaN-Materialqualität wird durch das Verfahren des epitaktisch lateralen Überwachsens strukturierter Substrate sowie durch Parameterstudien zum Substratfehlschnitt, Gesamtdruck und V/III-Verhältnis erreicht. Die Untersuchung struktureller und optischer Eigenschaften des abgeschiedenen Materials zeigt, dass die HVPE ein geeignetes Verfahren ist, um dicke, einheitlich orientierte, transparente AlGaN-Schichten herzustellen.