|
Issledowanie radiacionnoj stojkosti swetodiodow: Ocenka i powyshenie radiacionnoj stojkosti swetodiodow na osnowe gomo- i geterostruktur A3B5
|
![](/rcimages/rc200big.jpg) (Buch) |
Dieser Artikel gilt, aufgrund seiner Grösse, beim Versand als 2 Artikel!
Inhalt: |
Monografiq poswqschena issledowaniü radiacionnoj degradacii i ocenki radiacionnoj stojkosti swetodiodow na razlichnyh poluprowodnikowyh materialah. Rassmotreny swetodiody, kak perwogo pokoleniq na GaP (krasnogo i zhölto-zelönogo cweta swecheniq), tak i nowogo pokoleniq na baze trojnyh (AlGaAs, GaAsP) i chetwernyh twerdyh rastworow (AlInGaP, AlInGaN). Znachitel'naq chast' raboty poswqschena razrabotke matematicheskoj modeli obluchennyh gomo- i geterostruktur na baze diffuzionnyh teorij dwojnoj inzhekcii, podrobno proanalizirowany mehanizmy degradacii dannyh SID. Vywedeny analiticheskie zawisimosti sily sweta ot toka, naprqzheniq i flüensa oblucheniq, chto pozwolqet kolichestwenno ocenit' radiacionnuü stojkost' wseh issledowannyh gomo- i geterostruktur. Rezul'taty issledowanij mogut byt' ispol'zowany specialistami, zanimaüschiesq konstruirowaniem, proizwodstwom i primeneniem izdelij optoälektroniki, swetodiodow, cifro-znakowyh indikatorow i twerdotel'nyh izluchatelej. |
|