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Autor(en): 
  • Johnny K.O. Sin
  • Fu Yue
  • Li Zhanming
  • Ng Wai Tung
  • Integrated Power Devices and TCAD Simulation 
     

    (Buch)
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    Übersicht

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    Lieferstatus:   Auf Bestellung (Lieferzeit unbekannt)
    Veröffentlichung:  März 2017  
    Genre:  Naturwissensch., Medizin, Technik 
     
    Breakdown voltage / Buck Boost Converter / Buck Converter / Circuits & components / DC Converter / Doping Concentration / DVS / Electronics# circuits and components
    ISBN:  9781138071858 
    EAN-Code: 
    9781138071858 
    Verlag:  Taylor and Francis 
    Einband:  Kartoniert  
    Sprache:  English  
    Serie:  Devices, Circuits, and Systems  
    Dimensionen:  H 254 mm / B 178 mm / D 18 mm 
    Gewicht:  680 gr 
    Seiten:  368 
    Illustration:  schwarz-weiss Illustrationen, Tabellen, schwarz-weiss 
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    Inhalt:
    From power electronics to power integrated circuits (PICs), smart power technologies, devices, and beyond, Integrated Power Devices and TCAD Simulation provides a complete picture of the power management and semiconductor industry. An essential reference for power device engineering students and professionals, the book not only describes the physics inside integrated power semiconductor devices such lateral double-diffused metal oxide semiconductor field-effect transistors (LDMOSFETs), lateral insulated-gate bipolar transistors (LIGBTs), and super junction LDMOSFETs but also delivers a simple introduction to power management systems. Instead of abstract theoretical treatments and daunting equations, the text uses technology computer-aided design (TCAD) simulation examples to explain the design of integrated power semiconductor devices. It also explores next generation power devices such as gallium nitride power high electron mobility transistors (GaN power HEMTs). Including a virtual process flow for smart PIC technology as well as a hard-to-find technology development organization chart, Integrated Power Devices and TCAD Simulation gives students and junior engineers a head start in the field of power semiconductor devices while helping to fill the gap between power device engineering and power management systems.

      



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