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Artikel-Nr. 19828811


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Autor(en): 
  • Hao Yu
  • Yuhao Wang
  • Design Exploration of Emerging Nano-scale Non-volatile Memory 
     

    (Buch)
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    Übersicht

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    Lieferstatus:   Auf Bestellung (Lieferzeit unbekannt)
    Veröffentlichung:  September 2016  
    Genre:  Naturwissensch., Medizin, Technik 
     
    B / Circuits and Systems / Electronic circuits / Electronic Circuits and Systems / Electronic devices & materials / Electronics / Electronics and Microelectronics, Instrumentation / Electronics engineering
    ISBN:  9781493954971 
    EAN-Code: 
    9781493954971 
    Verlag:  Springer EN 
    Einband:  Kartoniert  
    Sprache:  English  
    Dimensionen:  H 235 mm / B 155 mm / D  
    Gewicht:  3539 gr 
    Seiten:  192 
    Illustration:  X, 192 p. 377 illus., schwarz-weiss Illustrationen 
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    Inhalt:
    This book presents the latest techniques for characterization, modeling and design for nano-scale non-volatile memory (NVM) devices. Coverage focuses on fundamental NVM device fabrication and characterization, internal state identification of memristic dynamics with physics modeling, NVM circuit design and hybrid NVM memory system design-space optimization. The authors discuss design methodologies for nano-scale NVM devices from a circuits/systems perspective, including the general foundations for the fundamental memristic dynamics in NVM devices. Coverage includes physical modeling, as well as the development of a platform to explore novel hybrid CMOS and NVM circuit and system design.

    . Offers readers a systematic and comprehensive treatment of emerging nano-scale non-volatile memory (NVM) devices;
    . Focuses on the internal state of NVM memristic dynamics, novel NVM readout and memory cell circuit design and hybrid NVM memory system optimization;
    . Provides both theoretical analysis and practical examples to illustrate design methodologies;
    . Illustrates design and analysis for recent developments in spin-toque-transfer, domain-wall racetrack and memristors.

      



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