Jetzt 3D Integration of Resistive Switching Memory von Qing Luo als Buch bei 1Advd.ch kaufen

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Lieferstatus:	Auf Bestellung (Lieferzeit unbekannt)
Veröffentlichung:	Dezember 2024
Genre:	Naturwissensch., Medizin, Technik
	3D / advanced memory architectures / Biological Synapses / CMOS process integration / Cross-section TEM Image / crossbar / Crossbar Array / Defect Profiles / device reliability analysis / DRAM / EDX Line Scan / Electrical Engineering / Electronics engineering / EOT / Equivalent Circuit / High Resolution Transmission Electron Microscope / high-density memory arrays / IEEE Electron Device Letter / IEEE Proceeding / Integration / LRS / Luo / memory / NAND Flash / Neuromorphic Computing / neuromorphic system design / of / Phase Change Memory / PUF / Qing / RC System / Reservoir Computing / Resistive / RRAM / RRAM Device / SCM / Selector Devices / selector technology / Switching / TECHNOLOGY & ENGINEERING / Electrical / TECHNOLOGY & ENGINEERING / Electronics / General / TECHNOLOGY & ENGINEERING / Electronics / Microelectronics / TECHNOLOGY & ENGINEERING / General / three-dimensional RRAM integration applications / Threshold Switching mehr...
ISBN:	9781032489506
EAN-Code:	9781032489506
Verlag:	Taylor and Francis
Einband:	Kartoniert
Sprache:	English
Dimensionen:	H 216 mm / B 138 mm / D
Gewicht:	200 gr
Seiten:	98
Illustration:	schwarz-weiss Illustrationen, Raster,schwarz-weiss, Zeichnungen, schwarz-weiss, Tabellen, schwarz-weiss
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Inhalt:

This book offers a thorough exploration of the three-dimensional integration of resistive memory in all aspects, from the materials, devices, array-level issues, and integration structures, to its applications.

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