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Autor(en): 
  • Sheik Arafat
  • Scattering Effects in SiNW Transistors: A Future Device Modelling 
     

    (Buch)
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    Übersicht

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    Lieferstatus:   i.d.R. innert 7-14 Tagen versandfertig
    Veröffentlichung:  Dezember 2019  
    Genre:  Naturwissensch., Medizin, Technik 
    ISBN:  9786200483584 
    EAN-Code: 
    9786200483584 
    Verlag:  LAP Lambert Academic Publishing 
    Einband:  Kartoniert  
    Sprache:  English  
    Dimensionen:  H 220 mm / B 150 mm / D 12 mm 
    Gewicht:  292 gr 
    Seiten:  184 
    Zus. Info:  Paperback 
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    Inhalt:
    This book "ANALYSIS OF CERTAIN SCATTERING EFFECTS IN SI NANOWIRE TRANSISTORS" derives the analytical drain current models for certain Scattered Silicon Nanowire MOSFET. Scattered Silicon Nanowire MOSFET is revealed which includes the effects of elastic scattering, optical phonon emission, surface roughness scattering, Discrete Random dopants and Temperature effects. These analytical models are validated by comparing their results with TCAD simulations.

      



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